Korean Journal of Materials Research (한국재료학회지)

Materials Research Society of Korea (한국재료학회)
권호 표지

Electrical Properties of Al-doped ZnO Transparent Conducting Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

RF 마그네트론 스퍼터링법으로 증착한 Al이 첨가된 ZnO 투명전도막의 전기적 특성

  • Kim, Jin-Yong (Dept.of Inorganic Materials Engineering,Seoul National University) ;
  • Lee, Yong-Ui (Dept.of Inorganic Materials Engineering,Seoul National University) ;
  • Jo, Hae-Seok (Dept.of Inorganic Materials Engineering,Seoul National University) ;
  • Lee, Dong-Hyeon (Samsung Corninng Co) ;
  • Kim, Yeong-Jin (Dept.of Matersials Science and engiveerisng, Kyonggi University) ;
  • Kim, Hyeong-Jun (Dept.of Inorganic Materials Engineering,Seoul National University)
  • 김진용 (서울대학교 무기재료공학과) ;
  • 이용의 (서울대학교 무기재료공학과) ;
  • 조해석 (서울대학교 무기재료공학과) ;
  • 이동현 (삼성코닝주식회사) ;
  • 김영진 (경기대학교 재료공학과) ;
  • 김형준 (서울대학교 무기재료공학과)
  • Published : 1995.05.01
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Abstract

첨가제로 $Al_{2}$$O_{3}$가 포함된 ZnO 소결체가 타깃을 이용하여 RF 마그네트론 스퍼터링법으로 Al이 첨가된 ZnO박막을 증착하고, 타깃에 첨가된 $Al_{2}$$O_{3}$의 농도와 증착시 스퍼터링장치내의 기판위치에 따른 박막의 물성 변화를 고찰하였다. 타깃의 $Al_{2}$$O_{3}$ 첨가농도가 2wt%인 경우에 비저항치 8 $\times$ $10_{-3}$ $\Omega$-cm인 박막이 증차되었다. 또한 $Al_{2}$$O_{3}$가 2wt%이상 첨가된 경우는 모든 Al이 박막내부에서 Zn를 치환하여 전자주게로의 역할을 하지 못하고, 오히려 치환되지 못한 Al원자의 중성 불순물 산란효과에 의해 박막의 비저항이 증가하였다. 타깃의 마모영역 위에서 증착된 Al을 첨가한 ZnO 박막은 그 영역 KR에서 증착된 박막보다 높은 비저항값을 나타냈으며, 이는 큰 에너지를 가지는 산소입자의 충돌에 기인한 것으로 여겨진다.

Keywords

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