Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D (전자공학회논문지D)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

A new MeSFET channel current model including bias-dependent dispersion effect

바이어스 효과를 포함하는 GaAs MESFET의 새로운 비선형 채널전류 모형

  • 노태문 (포항공과대학교 전자전기공학과 및 전자파 특화연구센터) ;
  • 김영식 (포항공과대학교 전자전기공학과 및 전자파 특화연구센터) ;
  • 김영웅 (국방과학연구소) ;
  • 박위상 (포항공과대학교 전자전기공학과 및 전자파 특화연구센터) ;
  • 김범만 (포항공과대학교 전자전기공학과 및 전자파 특화연구센터)
  • Published : 1997.04.01
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Abstract

A enw channel current model of GaAs MeSFET suitagle for applications to microwave CAD has been developed. The current model includes the bias-dependent frequency dispersion effects and its parameters are extracted from the pulsed I-V measurements at several quiescent bias points. The model is verified by applying to the nonlinear circuit designs of power amplifier and MMIC mixer.

Keywords