Abstract
In this paper, the design and imprlementation of dual-band power amplifier which is used as a critical part for mobile phone to be simultaneously working at a dual band, 800MHz CDAM and PCS frequency band is described. DC operating point of power FET is limited to Class-B to enable long talk time considering that the tyupical power range of CDMA phones in working is around 10 to Class-B to enable long talk time considering that the typical power range of CDMA phones in working is around 10 to 15dBm, i.e., liner range. The power amplifier which employs two GaAs FETs with good linerity at a low operating point has duplexer cuplexer circuit to separate two frequency bands at input and output stage. Electromagnetic analysis for via holes and coupling between narrow transmission lines is included to design a circuit. Moduld size of 0.96CC($22{\times}14.5{\times}3mm^3$) and maximum module current of 130mA at output power range, 10 to 15dBm are attained. The power amplifer module has achieved ACPR performance with 2 to 3dB marging from IS-95 requirement at output powers, 23.5dBm for PCS and 28dBm for 800MHz CDMA respectively.
본 논문에서는 국내향 800MHz CDMA 와 PCS(CDMA 방식)에서 동시에 사용될 수 있는 이동통신 전화기의 핵심부품인 이중대역 전력증폭기 모듈에 대한 연구를 기술하였다. CDMA 방식의 전화기가 갖는 사용빈도가 가장 높은 출력(1O-15dBm)이 선형영역인점을 고려하여 종단전력증폭용 GaAs FET의 DC 동작점을 B급으로 제한하므로서 배터리 사용시간을 연장하였다. 따라서 낮은 동작점에서도 우수한 선형성을 가진 2개의 Plastic GaAS FET로서 모듈을 구현하였고 입출력단에 주파수 분리회로를 설계하여 2개의 주파수 대역을 사용할수 있게 하였다. 모듈의 소형화를 위해 다층기판을 사용하였으며 협소한 전송선로간의 전자기결합과 가판 각 층간의 via hole 등은 전자기 해석을 통해 회로 설계에 반영하였다. 모듈 전체 크기는 O.96CC($22{\times}14.5{\times}3mm^3$) 이고 출력 10~l5dBm에서 모듈 총전류는 130mA이다. 선형특성은 출력 28dBm(CDMA, 800MHz)와 23.5dBm(PCS)에서 IS-95에서 규정하는 ACPR(Adjacent Channel Power Rejection)보다 2-3dB 여유도를 가진다.
