Abstract
The effect of substrate and oxidization time on $substrate /Py/Al_2O_3/Co\;(Py=Ni_{81}Fe_{19})$ tunnel junction was studied. Samples were prepared without breaking vacuum by changing shadow masks in-situ. The resistance of tunnel junctions increased, but measured MR decreased with oxidization time. Negative MR observed for samples of tunnel resistivity lower than 0.17 M$\Omega$ $({\mu}m)^2$. MR resistivity decreased with the change of substrates in the order of thermally oxidized Si(111), Si(100), Coring Glass 2948, Corning Glass 7059. Sign change and the variation of MR was explained with non uniform current effect.
기판/Py/Al2O3/Co(Py=Ni81Fe19) 터널접합의 TMR(Tunneling Magnetoresistance)에 미치는 기판과 부도체층의 효과를 보기위해 산화시간을 변화시키고 기판의 종류를 변화시켜며 전기적 특성을 측정하였다. 시료는 진공중에서 in-situ로 새도우마스크를 교환하며 제작하였다. 산화시간의 증가에 따라 터널접합의 저항은 증가하였으며 측정된 MR 값은 감소하였다. 터널 비저항이 0.17 M$\Omega$($\mu\textrm{m}$)2이하인 경우 MR이 관측되었다. 기판의 종류에 따른 MR 값은 열산화시킨 Si(111), Si(100), Cornng Glass 2948, Corning Glass 7059 순으로 감소하였다. MR 값의 부호와 변화를 불균일 전류의 흐름으로 설명하였다.
