Abstract
When DC voltages from 5 V up to 90 V are applied to a transmitter chip excited by an ultrafast lacer beam, the terahertz electromagnetic pulses and their spectra are changed. The spectrum shifts to the high frequency range when the high DC voltage is applied to the chip. At that time, the signal-to-noise ratio is increased from 250: 1 to 10,000: 1. The spectrum can expand up to 4 THz by optimal realignment of the THz system. Also, two terahertz electromagnetic pulses are generated from a receiver chip when the laser detection beam is reflected to the back side of the chip.
펨토초 레이저로 여기 되는 transmitter chip에 DC 전압을 최소 573171서 최대 90Vell가지 변화시켜 테라헤르츠 전자기 펄스의 크기와 스펙트럼의 변화를 관찰하였다 전압이 증가괼수록 상대적 스펙트럼의 크기가 고주파 쪽으로 증가되었고 신호 대 잡음비 역시 250:1에서 10,000:1로 개선할 수 있었다 이를 이용한 테라헤르츠 시스템의 재정렬로 테라헤르츠 스펙트럼 을 최대 4 THz 가지 확장 할 수 있었다 또한 dipole 안테나를 이용한 테라헤르츠 전자기 펄스의 검출에서 입사되는 detection 레이저빔이 silicon on sapphire (SOS) receiver chip 뒤 표면에 반사되어 dipole 안테나로 입사될 때 두 개의 테라 헤르츠 펄스가 일정한 시간간격을 두고 동시에 발생됨을 알 수 있었다.
