References
- A. Shen, Y. Horikoshi, H. Ohno and S. P. Guo, Appl. Phys. Lett. 71, 1540 (1997) https://doi.org/10.1063/1.119973
- H. Ohno, Science 281, 951 (1998) https://doi.org/10.1126/science.281.5379.951
- A. Shen, F. Matsukura, S. P. Guo, Y. Sugawara, H. Ohno, M. Tani, H. Abe and H. C. Liu, J. Crystal Growth 201-202, 679 (1999) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(98)01447-X
- H. Ohno, J. Mag. Mag. Mater. 200, 110 (1999) https://doi.org/10.1016/S0304-8853(99)00444-8
- T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinag, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth 175-176, 1063 (1997) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00937-2
- H. Shimizu, T. Hayashi, T. Nishinaga and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 74, 398 (1999) https://doi.org/10.1063/1.123082
- A. Van Esch, L. Van Bockstal, J. De Boeck, G. Verbanck, A. S. van Steenbergen, P. J. Wellmann, B. Grietens, R. Bogaerts, F. Herlach and G. Borghs, Phys. Rev. B 56, 13103 (1997) https://doi.org/10.1103/PhysRevB.56.13103
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, C. G. Kim, S. H. Yoo and C. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 82, 4755 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1586484
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, C. S. Kim, H. C. Lee, C. G. Kim, S. H. Yoo, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Appl. Phys. 93, 6793 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1556114
- H. Ohno, A. Shen, F. Matsukura, A. Oiwa, A. Endo, S. Katsumoto and Y. Iye, Appl. Phys. Lett. 69, 363 (1996) https://doi.org/10.1063/1.118061
- K. H. Kim, J. B. Park, B. D. Kim, C. S. Kim, D. J. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, Metals Mater. 8, 177 (2002) https://doi.org/10.1007/BF03027015
- K. H. Kim, K. J. Lee, D. J. Kim, H. J. Kim, Y. E. Ihm, D. Djayaprawira, M. Takahashi, C. S. Kim, C. G. Kim and S. H. Yoo, Appl. Phys. Lett. 82, 1775 (2003) https://doi.org/10.1063/1.1561580
- T. Hayashi, M. Tanaka, T. Nishinaga, H. Shimada, H. Tsuchiya and Y. Otuka, J. Crystal Growth 175-176, 1063 (1997) https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)00937-2
- M. Tanaka, J. P. Harbison, J. DeBoeck, T. Sands, B. Philips, T. L. Cheeks and. V. G. Keramidas, Appl. Phys. Lett. 62, 1565 (1993) https://doi.org/10.1063/1.108642
- K. M. Yu, W. Walukiewicz, T.Wojtowicz, W. L. Lim, X. Liu, M. Dobrowolska and J. K. Furdyna, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 219-220, 636 (2004) https://doi.org/10.1016/j.nimb.2004.01.133
- J. De Boeck, R. Oesterholt, A. Van Esch, H. Bender, C. Bruynseraede, C. Van Hoof and G. Borghs, Appl. Phys. Lett. 68, 2744 (1996) https://doi.org/10.1063/1.115584
- C. X. Gao, F. C. Yu , A. R. Choi, D. J. Kim, C. G. Kim, C. S. Kim, H. J. Kim and Y. E. Ihm, J. Crystal Growth 291, 60 (2006) https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2006.03.007
- P. Specht, M. J. Cich, R. Zhao, J. Gebauer, M. Luysberg and E. R. Weber, Physica B 308-310, 808 (2001) https://doi.org/10.1016/S0921-4526(01)00809-2
- R. L. Peritz, Phys. Rev. 110, 1254 (1958) https://doi.org/10.1103/PhysRev.110.1254