Journal of the Korean Vacuum Society (한국진공학회지)

The Korean Vacuum Society (한국진공학회)
권호 표지

Adsorption of H Atoms on the Si(111)$4{\times}1$-In Surface

Si(111)$4{\times}1$-In 표면에의 수소원자 흡착 연구

  • Published : 2006.03.01
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Abstract

Using scanning tunneling microscopy (STM) measurements, we studied the adsorption of hydrogen on the Si(111)$4{\times}1$-In surface at room temperature. The H atom features are found to be located between the two protrusions in one side of the $4{\times}1$ chain. The adsorbed H preferentially occupies one of the two zigzag In subchains, suggesting that the adsorption of H is influenced by the subsurface structure. The adsorbed H atom induces not only a localized distortion but also perturbs the distant region and results in a period-doubling modulations in the STM images. This H-induced perturbation differs from the Na-Induced perturbation on the same surface.

Scanning tunneling microscopy (STM)를 이용하여 Si(111)$4{\times}1$-In 표면에의 수소원자 흡착의 영향을 고찰하였다. STM 이미지에서 수소원자는 $4{\times}1$-In chain의 한 쪽 줄에 있는 두개의 연속된 밝은 부분 사이에 위치한다. 이 H 원자는 두 줄의 zigzag subchain 중의 한 쪽에만 선택적으로 흡착되는 경향성을 보이며 이는 수소원자의 흡착에 표면 밑의 구조가 영향을 미침을 시사한다. 표면에 흡착된 수소원자는 흡착위치 주위의 국소적 변형 뿐 만 아니라 chain 방향으로 멀리 떨어진 곳에도 영향을 미쳐서 STM 이미지에 두 배 주기의 modulation이 나타나게 한다. 수소흡착에 의해 유도되는 두 배 주기의 modulation은 기존에 보고된 Na 원자 흡착에 의해 유도되는 상과 다름을 확인하였다.

Keywords

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