References
- S. Nakamura and S. F. Chichibu, Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes (Taylor & Francis, London, 2000)
- R. Ascazubi, I. Wilke, K. Denniston, H. Lu and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 84, 4810 (2004) https://doi.org/10.1063/1.1759385
- V. D. Jovanovic, D. Indjin, Z. Ikoni and P. Harrison, Appl. Phys. Lett. 84, 2995 (2004) https://doi.org/10.1063/1.1707219
- J. T. Seo, U. H. Hommerich, A. J. Steckl, B. R. Birkhahn and J. M. Zavada, J. Korean Phys. Soc. 49, 943 (2006)
- F. Widmann, J. Simon, B. Daudin, G. Feuillet, J. L. Rouviere, N. T. Pelekanos and G. Fishman, Phys. Rev. B 58, R15989 (1998)
- Y. Narukawa, Y. Kawakami, M. Funato, S. Fujita, S. Fujita and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 70, 981 (1997)
- K. Tachibana, T. Somera, Y. Arakawa, R. Wemer and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 75, 2605 (1999)
- G. Bais, A. Cristofoli, F. Jabeen, M. Piccin, E. Carlino, S. Rubini, F. Martelli and A. Franciosi, Appl. Phys. Lett. 86, 233107-1 (2005) https://doi.org/10.1063/1.1944899
- L. W. Ji, Y. K. Su, S. J. Chang, S. T. Tsai, S. C. Hung, R. W. Chuang, T. H. Fang and T. Y. Tsai, J. Vac. Sci. Technol. A 22, 792 (2004) https://doi.org/10.1116/1.1722353
- C. Santori, S. Goetzinger, Y. Yamamoto, S. Kato, K. Hoshino and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 87, 051916-1 (2005) https://doi.org/10.1063/1.2006987
- N. Preschilla, S. Major, N. Kumar, I. Samajdar and R. S. Srinivasa, Appl. Phys. Lett. 77, 1861 (2000)
- P. R. Edwards, R. W. Martin, I. M. Watson, C. Liu, R. A. Taylor, J. H. Rice, J. H. Na, J. W. Robinson and J. D. Smith, Appl. Phys. Lett. 85, 4281 (2004) https://doi.org/10.1063/1.1815043
- B. Damilano, N. Grandjean, F. Semond, J. Massies and M. Leroux, Appl. Phys. Lett. 75, 962 (1999)
- I. L. Krestnikov, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, A. V. Sakharov,W. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, Zh. I. Alferov, Yu. G. Musikhin and D. Gerthsen, Phys. Rev. B 66, 155310 (2002)
- J. H. Rice, J. W. Robinson, A. Jarjour, R. A. Taylor, R. A. Oliver, G. A. D. Briggs, M. J. Kappers and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 84, 4110 (2004) https://doi.org/10.1063/1.1753653
- J. S. Huang, Z. Chen, X. D. Luo, Z. Y. Xu and W. K. Ge, J. Cryst. Growth 260, 13 (2004) https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.08.008
- O. Moriwaki, T. Someya, K. Tachibana, S. Ishida and Y. Arakawa, Appl. Phys. Lett. 76, 2361 (2000)
- S.-Y. Kwon, H. J. Kim, H. Na, Y.-W. Kim, H.-C. Seo, H. J. Kim, Y. Shin, E. Yoon, Y. Sun, Y.-H. Cho, J.-W. Yoon and H. M. Cheong, J. Korean Phys. Soc. 46, S130 (2005)
- B. Daudin, C. Adelmann, N. Gogneau, E. Sarigiannidou, E. Monroy, F. Fossard and J. L. Rouviere, Physica E 21, 540 (2004) https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.075
- B. Daudin, G. Feuillet, H. Mariette, G. Mular, N. Pelekanos, E. Molva, J.-L. Rouviere, C. Adelmann, E. Martinez-Guerrero, J. Barjon, F. Chabuel, B. Bataillou and J. Simon, Jpn. J. Appl. Phys. 40, 1892 (2001)
- I.-H. Lee, I. H. Choi, C. R. Lee and S. K. Noh, Appl. Phys. Lett. 71, 1359 (1997)
- B.-C. Chung and M. Gershenzon, J. Appl. Phys. 72, 651 (1992)
- S. Adachi, Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley & Sons, Chichester, 2005), p. 80
- S. Adachi, Properties of Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors (John Wiley & Sons, Chichester, 2005), p. 120