Abstract
In this paper, we performed a study of damage assessment model development to analyze the initial nuclear pulse radiation damage to semiconductor devices for military weapon systems. At first we modeled(M) the nuclear pulse radiation and diode device, and simulated(S) the output characteristics of the device to the input. Then the manufactured diodes which had the same characteristics with the modeled one were irradiated to the similar pulsed type radiation and their output signals were measured simultaneously. Error between the M & S results and the measured values of the analysis was 22.9%. Through the error value we could confirm that the damage assessment model simulated the TREE effects with a quite accuracy.
본 논문에서는 초기 핵 펄스방사선에 대한 군 무기체계내의 반도체 소자에 대한 피해를 분석하기 위해 피해평가 모델개발 연구를 수행하였다. 우선 핵 펄스방사선을 입력신호로 모델링하고 물성과 구조특성에 따라 정밀하게 모델로 구현한 다이오드 소자에 인가하여 소자내부에서 생성되는 전하들의 거동을 모사하고 출력특성을 분석하였다. 구축한 펄스방사선 피해 평가모델의 신뢰성 검증을 위해서 모델링한 소자와 동일한 공정변수로 제작한 다이오드 소자에 대해 유사한 특성의 펄스 방사선을 조사하고 출력전압의 순간 변화량을 실측하는 실험을 진행하였다. 실험결과 얻은 실측값은 동일소자의 모델에 대한 입력 펄스방사선의 출력 시뮬레이션 결과와 22.9%의 오차를 보여 개발한 피해평가 모델을 통해 핵 펄스방사선의 전자소자 피해현상을 비교적 정확히 모사하고 있음을 확인할 수 있었다.
