The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences (한국전자통신학회논문지)

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A Voltage Programming AMOLED Pixel Circuit Compensating Threshold Voltage Variation of n-channel Poly-Si TFTs

n-채널 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동 보상을 위한 전압 기입 AMOLED 화소회로

  • 정훈주 (금오공과대학교 전자공학부)
  • Received : 2013.01.17
  • Accepted : 2013.02.20
  • Published : 2013.02.28
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Abstract

A novel pixel circuit that uses only n-type low-temperature polycrystalline silicon (poly-Si) thin-film transistors (LTPS-TFTs) to compensate the threshold voltage variation of a OLED driving TFT is proposed. The proposed 6T1C pixel circuit consists of 5 switching TFTs, 1 OLED driving TFT and 1 capacitor. When the threshold voltage of driving TFT varies by ${\pm}0.33$ V, Smartspice simulation results show that the maximum error rate of OLED current is 7.05 % and the error rate of anode voltage of OLED is 0.07 % at Vdata = 5.75 V. Thus, the proposed 6T1C pixel circuit can realize uniform output current with high immunity to the threshold voltage variation of poly-Si TFT.

본 논문에서는 n-채널 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동을 보상할 수 있는 전압 기입 AMOLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 6T1C 화소회로는 5개의 스위칭 박막 트랜지스터, 1개의 OLED 구동 박막 트랜지스터 및 1개의 정전용량으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, 구동 트랜지스터의 문턱전압이 ${\pm}0.33$ V 변동시 최대 OLED 전류의 오차율은 7.05 %이고 Vdata = 5.75 V에서 OLED 양극 전압 오차율은 0.07 %로 제안한 6T1C 화소회로가 구동 트랜지스터의 문턱전압 변동에도 균일한 OLED 전류를 공급함을 확인하였다.

Keywords

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