Journal of IKEEE (전기전자학회논문지)

Institute of Korean Electrical and Electronics Engineers (한국전기전자학회)
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A Study on the Characteristics of Semiconductor Oxides with V2O5

V2O5가 첨가된 반도체 산화물의 특성개선연구

  • Lee, Don-Kyu (Dept. of Electronics Engineering, Dong-Eui University)
  • Received : 2018.12.04
  • Accepted : 2018.12.19
  • Published : 2018.12.31
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Abstract

In the dye-sensitized solar cell, the semiconductor oxide plays an important role in the generation and transport of electrons, and thus extensive research on this has been continuously carried out. In this study, the characteristics of dye-sensitized solar cell are studied by fabricating semiconductor oxide doped with $V_2O_5$. The $TiO_2$ paste with $V_2O_5$ is prepared by the screen printing method of the sol - gel process and the surface and electrical properties are measured. The addition of $V_2O_5$ increased grain size and improved the open circuit voltage, short circuit current, charge factor and conversion efficiency of the dye sensitized solar cell.

염료감응형 태양전지에서 반도체 산화물은 전자의 생성과 이동에 중요한 역할을 하므로 이에 관한 광범위한 연구가 지속적으로 수행되고 있다. 본 연구에서는 $V_2O_5$를 첨가시킨 반도체 산화물을 제작하여 염료 감응 태양 전지의 특성을 연구하였다. $V_2O_5$가 첨가된 $TiO_2$ 페이스트는 졸 겔 공정의 스크린 인쇄 법으로 제조하였고, 이에 따른 표면특성 및 전기적 특성을 측정하였다. $V_2O_5$가 첨가됨에 따라 결정립 크기가 증가하였고 염료감응태양전지의 개방 회로 전압, 단락 전류, 충전 계수 및 변환 효율 특성이 개선됨을 확인할 수 있었다.

Keywords

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Fig. 1. A structure of standard dye-sensitized solar cell. 그림 1. 표준형 염료감응형 태양전지 구조

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Fig. 2. A Changes of SEM image due to addition of V2O5. 그림 2. V2O5 첨가에 따른 SEM 이미지의 변화

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Fig. 3. A Changes of XRD pattern due to addition of V2O5. 그림 3. V2O5 첨가에 따른 XRD 이미지의 변화

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Fig. 4. V-I characteristics curve of V2O5-doped TiO2. 그림 4. V2O5 첨가에 따른 V-I 특성곡선

Table 1. Characteristics of DSSC due to addition of V2O5. 표 1. V2O5의 첨가에 따른 DSSC 특성

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